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      圖片信息
      GT60M303(Q)圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:GT60M303(Q)
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路IGBT
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    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導(dǎo)體公司完整型號:GT60M303(Q)
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
    13. 系列:-
    14. IGBT 類型:-
    15. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):900V
    16. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A
    17. Current - Collector Pulsed (Icm):120A
    18. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.7V @ 15V,60A
    19. 功率 - 最大值:170W
    20. Switching Energy:-
    21. 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
    22. Gate Charge:-
    23. 25°C 時 Td(開/關(guān))值:460ns/600ns
    24. Test Condition:-
    25. 反向恢復(fù)時間 (trr):2.5μs
    26. 封裝/外殼:TO-3PL
    27. 安裝類型:通孔
    28. 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(LH)
    29. GT60M303(Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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