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      圖片信息
      TC58NYG1S3HBAI6圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:TC58NYG1S3HBAI6
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數:EEPROM SLC 2GB NAND 24NM 67FBGA
    6. 產品應用分類:存儲器
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    9. 技術參數詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號: TC58NYG1S3HBAI6
    11. 制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 功能總體簡述: EEPROM SLC 2GB NAND 24NM 67FBGA
    13. 系列: -
    14. 格式 - 存儲器: EEPROMs - 串行
    15. 存儲器類型: EEPROM - NAND
    16. 存儲容量: 2G(256M x 8)
    17. 速度: 25ns
    18. 接口: 并聯
    19. 電壓 - 電源: 1.7 V ~ 1.95 V
    20. 工作溫度: -40°C ~ 85°C
    21. 封裝/外殼: 67-VFBGA
    22. 供應商器件封裝: 67-VFBGA(6.5x8)
    23. TC58NYG1S3HBAI6均從Toshiba代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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