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      圖片信息
      TPCC8061-H,LQ(O圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:TPCC8061-H,LQ(O
    4. 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導體
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV
    6. 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 東芝半導體公司完整型號:TPCC8061-H,LQ(O
    11. 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
    12. 描述:MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV
    13. 系列:-
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):30V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8A(Ta)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):26 毫歐 @ 4A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 100μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):630pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:15W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:8-PowerVDFN
    25. 供應商器件封裝:8-TSON高級
    26. TPCC8061-H,LQ(O均從Toshiba代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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