深圳市南皇電子有限公司長期提供TPH3206LDG-TR（品牌: Transphorm）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：TPH3206LDG-TR

原始制造廠商：Transphorm

技術(shù)標準參數(shù)：GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：TPH3206LDG-TR

制造商：Transphorm

描述：GANFET N-CH 600V 17A 3PQFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）

漏源電壓（Vdss）：600V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：17A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 11A，8V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.3nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±18V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：760pF @ 480V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：96W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：3-PQFN（8x8）

TPH3206LDG-TR均從Transphorm代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Transphorm

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