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      圖片信息
      SI7501DN-T1-E3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SI7501DN-T1-E3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數:MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:SI7501DN-T1-E3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產品系列:*
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. FET類型:N 和 P 溝道,共漏
    17. FET功能:邏輯電平門
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):5.4A,4.5A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):35 毫歐 @ 7.7A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):14nC @ 10V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
    24. 功率-最大值:1.6W
    25. 工作溫度:-
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:PowerPAK? 1212-8 雙
    28. SI7501DN-T1-E3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
    29. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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