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      圖片信息
      SQA410EJ-T1-GE3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SQA410EJ-T1-GE3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
    6. 產品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術參數詳解:
    10. Vishay威世半導體原廠型號:SQA410EJ-T1-GE3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:MOSFET N-CH 20V 7.8A SC70-6
    13. 系列:TrenchFET
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):20V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7.8A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):28 毫歐 @ 5A,4.5V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):8nC @ 4.5V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):485pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:13.6W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6
    25. 供應商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 單
    26. SQA410EJ-T1-GE3均從Vishay代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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