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      圖片信息
      SQJB02ELP-T1_GE3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:SQJB02ELP-T1_GE3
    4. 原始制造廠商:Vishay,威世
    5. 技術標準參數(shù):AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:SQJB02ELP-T1_GE3
    11. 制造商:Vishay Siliconix
    12. 描述:AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 40 V (
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:標準
    18. 漏源電壓(Vdss):40V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):30A(Tc)
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):7.5 毫歐 @ 6A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):32nC @ 10V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1700pF @ 20V
    24. 功率-最大值:27W
    25. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:PowerPAK? SO-8 雙
    28. SQJB02ELP-T1_GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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