Insignis 的 DDR3/3L SDRAM 器件采用了其專有的擴(kuò)展測試流程，可確保在升高的結(jié)溫下工作。
Insignis 工業(yè)和擴(kuò)展測試級(jí) DDR3/3L SDRAM 圖片這些工業(yè)和擴(kuò)展測試級(jí)器件屬高速 DDR3/3L 同步 DRAM，通過了 Insignis 專有的擴(kuò)展測試流程，減少了早期故障，并具有確保工業(yè)用途的優(yōu)質(zhì)質(zhì)量和長期可靠性。該芯片設(shè)計(jì)符合所有 DDR3L DRAM 的關(guān)鍵特性，包括與 DDR3 的完全向后兼容性，唯一的例外是 1 Gb DDR3 零件和 1 Gb DDR3L 零件之間所需的電壓。所有控制和地址輸入都與一對(duì)外部提供的差分時(shí)鐘同步。輸入在差分時(shí)鐘的交叉點(diǎn)（CK 上升和 CK# 下降）被鎖定。所有 I/O 均可以源同步方式與差分 DQS 對(duì)同步。
所有 2 Gb DDR3 零件均由 2 Gb DDR3L 覆蓋。2 Gb DDR3 和 DDR3L 零件采用 +1.35 V 至 0.067 V/+0.1 V 單電源供電。1 Gb DDR3 零件的所需電壓為 1.5 V，而 1 Gb DDR3L 零件的所需電壓為 1.35 V。所有零件均可采用 BGA 封裝。
特性
Insignis 專有的擴(kuò)展測試流程提高了質(zhì)量，確保了在升高的結(jié)溫下正常運(yùn)行
JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)直接替代零件
提供符合 AECQ-100 的版本
工作溫度范圍
擴(kuò)展測試 (ET) ：0°C 至 +85°C
工業(yè) (IT)：-40°C 至 +95°C（最高可達(dá) +105°C）
提供 1 GB 和 2 GB 容量選擇
工作溫度范圍
支持 JEDEC 時(shí)鐘抖動(dòng)規(guī)范
ZQ 校準(zhǔn)
8n 位預(yù)取架構(gòu)
符合 RoHS 規(guī)范
預(yù)充電和主動(dòng)斷電
可編程猝發(fā)長度：4，8
可編程模式和擴(kuò)展模式寄存器
輸出驅(qū)動(dòng)器阻抗控制
自動(dòng)刷新和自我刷新
預(yù)充電和主動(dòng)斷電
無鉛和無鹵素封裝
寫入均衡
應(yīng)用
工業(yè)
工廠自動(dòng)化
游戲機(jī)
嵌入式控制板
工業(yè) PC
醫(yī)療
印刷
通信/監(jiān)控
遠(yuǎn)程/現(xiàn)場監(jiān)控設(shè)備
門禁系統(tǒng)/安防
相機(jī)
計(jì)量
汽車/運(yùn)輸
航空
鐵路
船舶
駕駛員信息系統(tǒng)
信息娛樂
電信/網(wǎng)絡(luò)
蜂窩天線
路由器和交換機(jī)
網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)
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