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Insignis推出一款高速 CMOS DDR2 同步 DRAM NDB16P

Insignis 的 DDR2 SDRAM 器件采用了其專有的擴展測試流程，可確保在升高的結溫下工作。

Insignis 通過工業(yè)和擴展測試的 DDR2 SDRAM 圖片NDB16P 是一款經(jīng)過 Insignis 專有的擴展測試流程檢測的高速 CMOS DDR2 同步 DRAM，可減少早期故障，并具有確保工業(yè)用途的優(yōu)秀質(zhì)量和長期可靠性。這些器件設計符合 DDR2 DRAM 的關鍵特性，如公布的 CAS# 具有附加延遲、寫延遲 = 讀延遲 - 1 以及片內(nèi)端接 (ODT) 。

所有控制和地址輸入都與一對外部提供的差分時鐘同步。輸入在差分時鐘的交叉點（CK 上升和 CK# 下降）被鎖定。所有 I/O 都以源同步方式與一對雙向選通（DQS 和 DQS#）信號同步。

以交錯方式操作存儲體允許隨機訪問操作以比標準 DRAM 可能更高的速率發(fā)生。可啟用自動預充電功能，以提供一個在猝發(fā)序列結束時激活的自定時行預充電。根據(jù)猝發(fā)長度、CAS 延遲和器件的速度等級，可以實現(xiàn)順序和無間隙數(shù)據(jù)速率。

特性

Insignis 專有的擴展測試流程提高了質(zhì)量，確保了在升高的結溫下正常運行

JEDEC 標準直接替代零件

提供符合 AECQ-100 的版本

提供 512 Mb、1 Gb 和 2 Gb 容量

工作溫度范圍

擴展測試 (ET) ：0°C 至 +85°C

工業(yè) (IT)：-40°C 至 +95°C（最高可達 105°C）

差分時鐘 CK 和 /CK

雙向單/差分數(shù)據(jù)選通